聚力成半导体有限公司(GLC),团队由国内外各大知名半导体公司华籍专家组成,旨在采用GaN核心技术以实现电力电子与射频领域的高速革命。

高开关频率与高能效相结合,则电力系统可以在充电速度,功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力,基于这些技术,可在芯片生产、封测服务实现这一革命,该功率IC预估可将开关速度提高100倍,同时将节能提高40%或更多。

在电力电子领域,GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力,实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。

在微波射频领域,GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力,技术团队在射频芯片生产工艺的开发,有多年丰富经验,未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。

目前,GLC於重庆市大足区建设一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂,现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线,总投资约50亿人民币。

GLC以 "坚持", "务实", "敏捷", "品质", "承诺"五个核心价值来创造公司的文化,成为客户值得信赖的国际性第三代化合物半导体制造企业。

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