成都迈斯派尔半导体有限公司
成都迈斯派尔半导体有限公司为美国MaxPower Semiconductor Inc.的全资子公司, 2017年3月注册成立于成都市天府新区,主要从事功率半导体器件的研发和销售。公司位于成都科学城菁蓉中心A区,南望兴隆湖,环境优美,交通便利。在母公司的有力支持下,公司开业伊始即在研发和销售上均取得良好的开端。由于业务拓展,公司亟需扩大团队,期待有志之士加盟。

母公司背景
    MaxPower Semiconductor Inc. 2007年成立于美国加州硅谷圣荷塞 (San Jose), 是世界领先的功率半导体技术和产品供应商。公司核心团队由国际知名半导体专家组成。公司已在海内外十余座晶圆厂成功地开发了高端工艺平台。公司客户遍布美国、中国、日本和欧洲;产品涵盖高性能MOSFET (20V-900V) 、 IGBT (600V-4.5kV) 、碳化硅器件、高端功率IC 等,具有超过5.5亿颗的芯片发货量,并大量应用于要求严苛的日本汽车电子市场。

公司核心团队
Dr. Mohamed Darwish, 创始人, 总经理
  英国威尔士大学电子工程学博士。
  在功率半导体领域有超过35年的研究和产品开发经验。
  经历:美国Fultec公司技术副总;美国Vishay-Siliconix工程部资深处长;美国Power Integrations元件科技事业处处长;美国贝尔实验室技术幕僚和杰出会员。
  多次在国际专业会议IEEE-ISPSD上担任技术主席;为国际***专业期刊IEEE-IEDM技术研论委员会委员。
  在沟槽型MOS、高压IC、BCD工艺、亚微米CMOS等技术上具有丰富的开发经验。
  发明了W-FET 和 Turbo-FET技术,广泛应用于沟槽型MOS的大规模生产;发明了横向IGBT,广泛应用于IGBT的高压集成。
  持有已审过的(部分在审)专利超过100篇。

Dr. Jun Zeng (曾军),共同创始人,首席技术官/执行副总
  英国威尔士大学电子工程学博士。
  在功率半导体领域有超过25年的研究和产品开发经验。
  经历:中国华润IPS公司共同创始人、总经理兼首席技术官;台湾Pyramis公司共同创始人和首席技术官;美国Harris半导体工程主管;美国Fairchild半导体工程主管;美国Clare公司首席芯片设计师。
  发明了Split-Gate技术,为当今高速MOS器件的主流技术;发明了IGBT阴极整流技术,广泛应用于高坚固性IGBT的生产;发明了分井/双井功率MOS技术,广泛应用于高性能MOS的生产;发明了高密度全自对准沟槽MOS技术,广泛应用于高密度低压MOS的生产。
  在沟槽型MOS、SJ-MOS、IGBT、Thyristor、BJT等技术上具有丰富的开发经验。
  持有已审过的(部分在审)专利超过100篇。

Dr. Richard Blanchard, 首席战略规划官
  美国斯坦福大学电子工程学博士,麻省理工学院电子工程学硕士和学士。
  在功率半导体领域有超过35年的研究和产品开发经验。
  经历:美国Supertex公司共同创始人和副总裁;美国Siliconix公司副总裁;德国IXYS公司副总裁;美国Cognition创始人。
  沟槽型MOS技术的主要发明人之一,成功开发和量产了世界上第一颗沟槽型MOS产品。
  在功率MOS器件、功率IC、SJ-MOS等技术上具有丰富的开发经验。
  在Trench MOS、SJ-MOS、IGBT、Thyristor、BJT等技术上具有丰富的开发经验;
  持有已审过的(部分在审)专利超过200篇。

  • (半导体)IC高级销售工程师 ( 成都 )
  • (半导体)IC器件设计工程师 ( 成都 )
  • 半导体器件工程师 ( 成都 )
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